在科技的前沿，半导体领域正经历着一场史诗般的变革。随着摩尔定律即将面临物理极限的挑战，全球各大巨头如台积电、三星、ASML等，以及相关研发团队，都在不断探索新的技术路线，以解决这一难题。其中，我国在新材料和晶体管技术方面已经取得了领先全球的成果。
碳基晶圆的生产是这些创新之一，这项技术已被我国掌握，为芯片制造业开辟了一条新的道路。而改进晶体管技术则是另一条关键路径。传统FinFET晶体管技术虽为行业提供了强有力的支持，但随着制程微缩至3nm以下，其发展潜力受到了限制。因此，相关企业或团队开始寻求更高效能、更低功耗的新型晶体管设计。
12月17日，一则令人振奋的消息从快科技传来：复旦大学微电子学院宣布，该校周鹏教授团队成功攻克难题，在3nm芯片关键技术上取得了重大突破。这一成果不仅显示出国产芯片制造业正在迈向前行，也为国际半导体大会增添了一抹中国红。
据悉，周鹏教授带领的小组专注于具有重要应用需求但仍处于研究阶段的3-5nm节点晶体管技术。在此基础上，他们验证了双层沟道厚度分别为0.6/1.2nm的围栅多桥沟道（GAA）晶体管，并实现了低泄漏电流与高驱动电流同时存在。这一创新的GAA结构相比传统FinFET，不仅提升了性能，还降低了成本，为未来可持续发展奠定基础。此前的数据显示，这种设计可以达到400%以上对普通MoS2晶体管驱动电流的大幅提升，同时漏电流减少两倍，是当前最具前瞻性的解决方案之一。
这意味着GAA技无疑将成为推动摩尔定律延续到5nm以下工艺节点的一把钥匙。在这个过程中，我们看到三星和台积电都已经引入GAA技術，而后者计划2022年投产其量产版本。而中芯国际尽管还未采用这种新手段，但梁孟松透露，该公司正在展开针对5nm和3nm工艺八大关键项工作，只待EUV光刻机到货便可进一步推进。
总之，从目前的情况看，即使国内尚未完全赶超海外及台湾企业，但国家共同努力下，国产芯片明天仍然充满希望。
