650 V CoolSiC MOSFET器件的额定值在27 mΩ-107 mΩ之间，既可采用典型的TO-247 3引脚封装，也支持开关损耗更低的TO-247 4引脚封装。与过去发布的所有CoolSiC MOSFET产品相比，全新650V系列基于英飞凌先进的沟槽半导体技术。通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，确保了器件具有出色的可靠性、出类拔萃的开关损耗和导通损耗。此外，它们还具备最高的跨导水平（增益）、4V的阈值电压（Vth）和短路稳健性。总而言之，沟槽技术可以在毫不折衷的情况下，在应用中实现最低的损耗，并在运行中实现最佳可靠性。
与市面上硅基以及碳化硅解决方案相比，650 V CoolSiC MOSFET能够带来更加吸引人的优势：更高开关频率下更优的开关效率以及出色的可靠性。得益于与温度相关的超低导通电阻（RDS(on)），这些器件具备出色的热性能。此外，它们还采用了坚固耐用的体二极管，有非常低的反向恢复电荷：比最佳的超结CoolMOS MOSFET低80%左右。其换向坚固性，更是轻松实现了98%的整体系统效率，如通过连续导通模式图腾柱功率因素校正（PFC）。
为了简化采用650 V CoolSiC MOSFET的应用设计，确保器件高效运行，英飞凌还提供了专用的单通道和双通道电气隔离EiceDRIVER栅极驱动器IC。这个解决方案（整合了CoolSiC开关和专用的栅极驱动器IC）有助于降低系统成本和总拥有成本，以及提高能效。CoolSiC MOSFET可与英飞凌EiceDRIVER栅极驱动器系列IC无缝协作。
供货情况 650 V CoolSiC MOSFET系列共8个版本，采用两种插件TO-247封装，现已支持订购。三种专用栅极驱动器IC将于2020年3月起供货。了解更多信息，请访问www.infineon.com/coolsic-mosfet-discretes。
