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IR推出20V至30V的全新 StrongIRFET系列为高性能运算和通信应用提供极低导通电阻

国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩充StrongIRFET系列，为高性能运算和通信等应用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是该系列的重点器件，具有极低的导通电阻 (RDS(on))。



IRL6283M采用超薄的30 mm2中罐式DirectFET封装，导通电阻典型值只有500µΩ，可大幅降低传导损耗，因而非常适合动态ORing和电子保险丝 (eFuse) 应用。新器件可使用3.3V、5V或12V的电源轨操作，在20A电流和同样的30 mm2尺寸的封装中，可比同类最佳PQFN器件降低15%的损耗，使设计人员能够在大电流应用内减少器件数量。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“StrongIRFET系列经过扩充后，能够满足市场对动态ORing和电子保险丝的高效开关的需求。全新IRL6283M在高性能封装内提供行业领先的导通电阻，从而实现无可比拟的功率密度。”

与DirectFET系列的器件一样，IRL6283M可提供有效增强电气性能和热性能的顶侧冷却功能，以及旨在提高可靠性的无键合线设计。此外，DirectFET封装符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 的所有要求，例如完全不含铅的物料清单可适合长生命周期的设计。同类的高性能封装包含高铅裸片，虽然符合电子产品有害物质管制规定第7(a) 项豁免条款，但这项豁免将于2016年到期。

规格
器件编号电压最高 VGS封装电流
导通电阻 (典型/最高)
认证级别
额定值
(V)(V)(A)10V 4.5V2.5V
IRL6283M
20
12DirectFET MD211.50/.75.65/.871.1/1.5工业
IRFH8201
25
20PQFN 5x6B100*.80/.951.20/1.60不适用
IRFH8202.90/1.051.40/1.85
IRFH8303
30
.90/1.101.30/1.70
IRFH83071.1/1.31.7/2.1
IRF8301MDirectFET MT1921.3/1.51.9/2.4

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