随着系统尺寸的持续变小，降低功率损耗和改进散热这两个关键因素变得至关重要。与当前市面上领先的PQFN 3.3 x 3.3 mm2 漏极底置封装的器件相比，英飞凌新产品系列的导通电阻（RDS(on)）大幅降低了25%。英飞凌双面散热、PQFN封装、OptiMOS源极底置功率MOSFET可提供一个增强的热界面，将功率损耗从开关器件传导至散热器。双面散热的结构能够以最直接的方式将功率开关连接至散热器，其功耗能力与底部散热、源极底置功率MOSFET相比提高了三倍。
该新产品系列提供了两种不同的引脚排列形式，为PCB布线提供了极大的灵活性。采用传统标准门极布局的引脚排列形式可实现快速、简单地修改现有的漏极底置设计；而采用门极居中布局的引脚排列形式为多个器件并联提供了新的可能性，并且可以最大限度地缩短驱动芯片与门极之间的走线距离。采用PQFN 3.3 x 3.3 mm2封装的新一代25-150 V OptiMOS源极底置功率MOSFET具备优异的连续电流能力，最高可达298A，可以实现最高的系统性能。
供货情况
PQFN 3.3 x 3.3 mm2封装、25-150 V OptiMOS 源极底置功率MOSFET有两种不同的引脚排列形式：标准门极布局和门极居中布局。目前这两款不同的引脚排列形式，均已有双面散热封装的产品开放订购。如需了解更多信息，请访问www.infineon.com/source-down。
