“Qorvo发布了一系列六款全新的氮化镓（GaN）芯片晶体管TGF2933－36和TGF2941－42，新产品的高频性能更出色，噪声更低，这对先进的通信、雷达和国防RF系统应用而言甚为关键。 ” 实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今天发布了一系列六款全新的氮化镓（GaN）芯片晶体管---TGF2933-36和TGF2941-42，新产品的高频性能更出色，噪声更低，这对先进的通信、雷达和国防RF系统应用而言甚为关键。 该系列的这六款全新GaN晶体管及其相关模型的制造工艺采用了业内独有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化镓（SiC）工艺——QGaN15。QGaN15工艺令晶体管工作频率高达25 GHz，支持芯片级设计，通过K频段应用提供频率更高且经济高效的分立式技术。 Qorvo高性能解决方案事业部总经理Roger Hall表示：“高性能GaN产品、互补模块和专业的应用工程支持有机结合，使得Qorvo脱颖而出。我们帮助设计人员将产品加速推向市场。” 支持迅速、准确的性能测试并加速生产就绪过程的线性、非线性以及噪声模型由我们的合作伙伴、仿真技术领域的领先企业Modelithics, Inc.提供。这些模型提供的功能包括扩展工作电压、环境温度和自热效应，以及针对波形优化的固有电压/电流节点访问。 下表简要介绍了QGaN15产品的特性。 10GHz时的数据： Product 产品 Freq (GHz) 频率 (GHz) Vd(V) Vd(V) Psat (W) Psat (W) PAE (%) PAE (%) SS Gain (dB) SS 增益 (dB) NF (dB) NF (dB) TGF2933 DC-25 28 7 57 15 1.3 TGF2934 DC-25 28 14 49 14 1.5 TGF2935 DC-25 28 5 60 16 1.3 TGF2936 DC-25 28 10 58 16 1.3 TGF2941 DC-25 28 4 60 16 1.3 TGF2942 DC-25 28 2 59 18 1.2
