近年来，全球半导体领域陷入摩尔定律即将面临物理极限的瓶颈。然而，没有什么能够难倒行业巨头，台积电、三星、ASML包括各国相关研发团队，都在试图从新的角度革新半导体芯片制造业。尝试新的材料取代硅便是思路之一，我国已经掌握领先全球的技术，实现了碳基晶圆的生产。
改进晶体管技术也是提升芯片性能的一个方法。传统的FinFET晶体管技术在制程不断微缩的情况下，已经难以有新突破，因此相关企业或团队展开了对晶体管新型技术的研发探索。
12月17日快科技传来消息，我国复旦大学微电子学院宣布，该校周鹏教授的团队成功攻克难题，在3nm芯片关键技术上取得重大突破。这一成果不仅为我国高端集成电路产业发展提供了强有力的支撑，也为全球半导体工业带来了新的希望。
据悉，周鹏教授的团队针对具有重大需求的3-5nm节点晶体管技术，验证了双层沟道厚度分别为0.6/1.2nm的围栅多桥沟道晶体管（GAA），实现低泄漏电流与高驱动电流的融合。此前，这类GAA多桥沟道晶体管简称GAA-Gate All Around Field Effect Transistor，是未来高性能集成电路应用的一种重要组成部分。
数据显示，周鹏教授设计并制造出的超薄围栅双桥沟道晶体管（Gate Last）相比普通MoS2结点所需驱动功率大幅降低，同时保持良好的操作频率和能效比。这意味着该类型GAA-Gate All Around Field Effect Transistor能够让摩尔定律在5nm以下工艺节点上更好地延续，为未来的5G通信、高性能计算等应用提供强劲支持。
提及此事，不少读者都对GAA-Gate All Around Field Effect Transistor感到熟悉。在复旦教授团队实现此项技术突破之前，一些国际知名公司如三星和台积电早已掌握这项创新工艺，并计划将其应用于量产中。不过，由于这是一项全新的工艺，它需要时间来被完全接受和普及到整个市场中去。
至于国内大型芯片代工厂中芯国际，其CEO梁孟松透露，该公司正在推进其5nm和3nm最关键、最艰巨八大项工作，只待EUV光刻机到货后才能进一步推进这些项目。此外，还有许多其他中国科技机构也在密切关注这一领域，以确保自己不会落后于世界潮流，并逐步提高自身的地位与影响力。
由此可见，无论是在材料科学还是核心原理上的创新方面，我国都已经迈出了坚实的一步。而且，我们相信随着科研人员不断深入研究，这些创新之举会越来越多地帮助我们走向一个更加自主可控、高效安全的大众化智能时代。
