MOSFET节省空间，可替代TO-252(DPAK)封装的器件，适用于照明、计算和消费应用
Vishay推出3颗采用小尺寸PowerPAK SO-8L封装的N沟道器件---SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E，扩充其600V和650V E系列功率MOSFET。Vishay Siliconix 600V SiHJ8N60E和650V SiHJ6N65E、SiHJ7N65E更省空间，可替代TO-252(DPAK)封装的MOSFET，具有高可靠性和小封装电感，可用于照明、工业、电信、计算和消费应用。
今天推出的MOSFET由Vishay Siliconix设计和开发，表面贴装PowerPAK SO-8L封装完全符合RoHS，无卤素，无铅。SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E的尺寸为5mm x 6mm，占板空间和高度只有TO-252(DPAK)封装器件的一半。而且，与无引线DFN封装的MOSFET相比，在整机设备的使用寿命内碰到温度循环情况时，PowerPAK SO-8L的鸥翼引线结构能有效提高板级的可靠性。
SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E使用Vishay最新的高能效E系列超级结技术制造，在10V下的最大导通电阻只有0.52Ω，栅极电荷低至17nC，导通电阻与栅极电荷乘积更低，该参数是评价功率转换应用中MOSFET的优值系数。在功率因数校正、反激、双管正激转换器，以及HID和LED照明、工业、电信、消费和计算类应用的电源适配器等硬开关拓扑中，这些参数意味着MOSFET能实现极低的传导和开关损耗，有效节约能源。
MOSFET可承受雪崩和换相模式中的高能脉冲，保证限值通过100%的UIS测试。
器件规格表：
| 产品编号 | VDS (V) | VGS (V) | ID (A) @ 25 °C | RDS(ON) (Ω) @ 10 V (最大值) | Qg (nC) @ 10 V | | (典型值) | | SiHJ8N60E | 600 | ± 30 | 8 | 0.52 | 22 | | SiHJ6N65E | 650 | ± 30 | 5.6 | 0.868 | 16 | | SiHJ7N65E | 650 | ± 30 | 7.9 | 0.598 | 22
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