在能源效率标准和最终系统要求的推动之下，电源设计人员需要有助于缩减其应用电源的外形尺寸且不影响功率密度的高能效解决方案。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.3mm x 3.3mm PQFN外形尺寸提供业界最佳功率密度和低传导损耗，能够满足这些需求。 FDMC8010采用飞兆半导体的PowerTrench
在能源效率标准和最终系统要求的推动之下，电源设计人员需要有助于缩减其应用电源的外形尺寸且不影响功率密度的高能效解决方案。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.3mm x 3.3mm PQFN外形尺寸提供业界最佳功率密度和低传导损耗，能够满足这些需求。
FDMC8010采用飞兆半导体的PowerTrench 技术，非常适合要求在小空间内实现最低RDS(ON) 的应用，包括：高性能DC-DC降压转换器、负载点(POL)、高效负载开关和低端切换、稳压器模块(VRM)以及ORing功能。设计人员使用FDMC8010器件，能够将封装尺寸从5mm x 6mm减小为3.3mm x 3.3mm，节省66%的MOSFET占位面积。
