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Vishay的17款新器件扩充600V N沟道功率MOSFET系列

新的E系列器件具有低至39mΩ的导通电阻和7A～73A电流，采用的超级结技术可实现低FOM和高功率密度，具有8种封装

Vishay宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件，将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39mΩ～600mΩ，将最高电流等级扩展至7A～73A。新的E系列MOSFET采用Vishay的下一代超级结技术，使公司进入使用功率转换技术的增量市场，包括照明、适配器和高功率可再生能源系统。

今天发布的器件使600V E系列MOSFET的器件数量增加到27个。所有的E系列器件都具有超低的导通电阻和栅极电荷，可实现极低的传导损耗和开关损耗，从而在功率因数校正、服务器和通信电源系统、焊接、不间断电源(UPS)、电池充电器、LED照明、半导体生产设备、适配器和太阳能电池逆变器等高功率、高性能的开关应用中节约能源。



器件可承受雪崩和通信模式中的高能脉冲，保证通过100% UIS测试时达到极限条件。MOSFET符合RoHS指令。

器件规格表：
  型号  
VBRDSS  (V)
ID  @ 25 oC (A)
RDS(ON)  max. @ Vgs = 10 V (mΩ)
Qg  typ @   Vgs  = 10V  (nC)
封装
SiHP7N60E
600
7
600
20
TO-220
SiHF7N60E
600
7
600
20
TO-220  FullPAK
SiHD7N60E
600
7
600
20
DPAK/TO-252
SiHU7N60E
600
7
600
20
IPAK/TO-251
SiHP12N60E
600
12
380
29
TO-220
SiHF12N60E
600
12
380
29
TO-220 FullPAK
SiHB12N60E
600
12
380
29
D2PAK/TO-263
SiHP15N60E
600
15
280
38
TO-220
SiHF15N60E
600
15
280
38
TO-220  FullPAK
SiHB15N60E
600
15
280
38
D2PAK/TO-263
SiHP22N60E
600
22
180
57
TO-220
SiHB22N60E
600
22
180
57
D2PAK/TO-263
SiHF22N60E
600
22
180
57
TO-220  FullPAK
SiHG22N60E
600
22
180
57
TO-247AC
SiHP30N60E
600
30
125
85
TO-220
SiHB30N60E
600
30
125
85
D2PAK/TO-263
SiHF30N60E
600
30
125
85
TO-220  FullPAK
SiHG30N60E
600
30
125
85
TO-247AC
SiHW30N60E
600
30
125
85
TO-247AD
SiHB33N60E
600
33
99
100
D2PAK/TO-263
SiHP33N60E
600
33
99
100
TO-220
SiHG33N60E
600
33
99
100
TO-247AC
SiHW33N60E
600
33
99
100
TO-247AD
SiHG47N60E
600
47
99
147
TO-247AC
SiHW47N60E
600
47
64
147
TO-247AD
SiHG73N60E
600
73
64
241
TO-247AC
SiHW73N60E
600
73
39
241
TO-247AD

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