RON较现有产品降低了30%，反向恢复时间为现有产品的三分之一 东芝公司(Toshiba)推出了基于600V系统超级结(super junction)MOSFET“DTMOSIV”系列的高速二极管。新系列采用最新的单外延工艺打造，其每单位面积导通电阻(RON•A)较现有产品降低了约30%(注1)，处于业界领先水平。(注2)另外，高速寄生二极管的反向恢复时间约为现有产品的三分之一(注3)，降低了损耗并有助于提高功效。 (注1) 与此前的“DTMOSIII”系列比较。东芝数据。 (注2) 截至2013年4月2日。东芝数据。 (注3) 与现有的“TK16A60W”产品比较。截至2013年4月3日。东芝数据。 应用 开关电源，微逆变器，适配器和光伏逆变器 主要特性 1. RON•A较现有产品（DTMOSIII系列）降低了30%。 2. 高速寄生二极管的反向恢复时间约为现有产品的三分之一。 3. 采用单外延工艺打造，确保高温时的导通电阻和反向恢复时间只会小幅增加。 4. 宽广的导通电阻范围（0.65-0.074Ω） 5. 多种封装 主要规格 产品型号 绝对最大额定值 RDS(ON)最大值 (Ω) Qg 标准值 (nC) Ciss 标准值 (pF) trr 标准值 (ns) 封装 VDSS(V) ID(A) VGS=10V TK16A60W5 600 15.8 0.23 43 1350 100 TO-220SIS TK31J60W5 600 30.8 0.099 105 3000 135 TO-3P(N) TK39J60W5 600 38.8 0.074 135 4100 150 TO-3P(N)
