在全球半导体产业的激烈竞争中，芯片工艺制程的微缩已成为行业发展的关键。随着摩尔定律即将面临物理极限，各大科技巨头和研发团队纷纷投入大量资源进行创新。新材料的探索与应用，以及对晶体管技术的革新，是当前半导体制造业突破瓶颈所采取的一种战略。
复旦大学微电子学院周鹏教授团队在这个领域取得了重要进展。在3nm芯片关键技术上，他们成功攻克难题，并取得了突破性成果。这项工作涉及到双层沟道厚度分别为0.6/1.2nm的围栅多桥沟道晶体管（GAA）的验证。该技术能够实现低泄漏电流与高驱动电流的融合，为5nm以下工艺节点提供了新的可能。
GAA晶体管相比传统FinFET有更好的栅控能力和漏电控制性能。在复旦教授团队设计并制造出的超薄围栅双桥沟道晶体管中，驱动电流实现了400%的大幅提升，而漏电流降低到了两个数量级，这意味着GAA晶体管能够让摩尔定律在5nm以下工艺节点上继续延续。
此前，三星和台积电已经掌握了GAA晶体管技术，并计划将其应用于下一代芯片。而中芯国际也正在紧锣密鼓地推进自己的5nm和3nm工艺项目，只待EUV光刻机到货便能正式启动生产。
尽管国产芯片仍落后于海外，但通过全国范围内的共同努力，可以预见未来国产芯片市场将会有显著提升。
