Microchip的700V SiC MOSFET和700V、1200V SiC肖特基势垒二极管（SBD）将加入公司现有的SiC功率模块产品组合。该组合新增的超过35款分立器件产品均已实现量产，并通过了严格的耐用性测试，Microchip可提供全面的开发服务、工具和参考设计支持。Microchip目前提供额定电压、额定电流和各类封装的SiC裸片、分立器件和功率模块。
Microchip的SiC MOSFET和SBD可以更加高频高效地完成开关操作，并通过各级别的耐用性测试，这对于保障产品的长期可靠性至关重要。感应开关（UIS）耐用性测试（该项测试旨在衡量雪崩情形下，即电压峰值超过器件的击穿电压，器件的退化和过早失效性能）表明，Microchip SiC SBD性能比其他SiC二极管高出20%左右。另外，Microchip的SiC MOSFET在性能方面同样优于同类产品，其具有良好的栅氧化层防护能力和通道完整性，即使在经历10万次重复UIS（RUIS）测试后，其参数仍能维持在正常水平。
