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英飞凌节能芯片以高于国际标准的出色性能帮助全球降低能耗

在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2011展会（5月17日至19日）上，英飞凌科技展出的一系列创新产品和解决方案生动地诠释了大会的宣传口号“高能效之道（Energy – the efficient way）”。这些产品和解决方案可确保大幅降低电子设备和机器的能耗。

国际能源机构（IEA）预计，今后20年，全球能耗将增加35%以上。以电力形式消耗的能源，占全球总能耗的三分之一左右。电力一般要经过远距离输送，这个过程往往会损耗大量电力。巧妙地利用功率半导体，能够最大限度地降低发电、输配电和电源转换等环节的电力损耗，从而消除这种能源损失。利用这种节能芯片还可以大大提高电子设备和机器的能效，以确保最大限度地节省能源。随着全球人口数量不断增长，节能的重要性日益凸显。从某种意义上讲，提高能效也是最大的能源
英飞凌科技副总裁兼电源管理和分立式器件业务部总经理Andreas Urschitz表示：“利用英飞凌节能半导体解决方案，最多可将全球总能耗降低25%。我们的产品的节能效果甚至超过了国际能效标准，因而能为我们的客户带来明显的竞争优势。”

英飞凌在PCIM Europe 2011展会上展出的电源管理产品和解决方案一览：

最新RC-D快速IGBT以很高的开关频率实现了最高达96%的能效，同时缩小变频器的尺寸并降低其成本

英飞凌的逆导型（RC）600V IGBT家族又添两名新成员。这两款新的功率开关器件可在目标应用中实现最高达96%的能效。利用这些全新推出的RC-D快速IGBT，可以设计出更高能效的电机驱动家用电器，它们使用尺寸更小的元件，因此成本比同类系统更低。


英飞凌最新推出市场领先的集成快速体二极管的650V CoolMOS™ CFD2产品，可将诸如服务器、太阳能设备、电信机房开关电源和照明装置等设备的能效提升至新的高度

英飞凌的最新一代高压CoolMOS™ MOSFET实现了又一项创新，设立了能源效率的新标准。英飞凌展出了全新650V CoolMOS™ CFD2，它是世界上第一款漏源击穿电压为650V并且集成了快速体二极管的高压晶体管。这个新的CFD2器件延续了600V CFD产品的优点，不仅可以提高能效，而且具备更软的换流功能，从而降低了电磁干扰（EMI），提升产品的竞争优势。


英飞凌为实现高能效电源转换设计助一臂之力：中压系列OptiMOS™进一步完善CanPAK™产品阵容

英飞凌新推出的60V至150V CanPAK™，进一步完善了其OptiMOS™功率MOSFET产品阵容。利用该产品，电源系统工程师可以优化设计，实现更高能效和卓越的散热性能，同时最大限度地缩小占板空间。较之于标准分立式封装，CanPAK™金属“罐”结构有助于实现双面散热，并且几乎不会产生封装寄生电感。CanPAK™的优势与OptiMOS™家族的杰出性能相得益彰。OptiMOS™产品可在整个电压范围内实现行业最低的RDS(on)和Qg 。对于诸如面向电信应用的隔离式DC-DC电源转换器，以及太阳能微型逆变器和太阳能系统中使用的MPP等快速开关应用而言，很低的栅极电荷（Qg）意味着最低的开关损耗。而对于诸如电机控制等高电流应用场合，英飞凌CanPAK™产品具备业界最低的RDS(on)，可以实现最低的功率损耗。


碳化硅肖特基二极管thinQ!™——采用TO封装的高能效1200V器件

随着时间的推移，英飞凌推出的第二代碳化硅肖特基二极管，已经成为不成文的行业标准。现在，英飞凌进一步扩充了这个本已十分广博的产品组合，推出了采用新的TO-247HC（长爬电距离）封装的1200V碳化硅二极管。

这种新的封装完全兼容行业标准TO-247，因而可轻松用于现有的设计，而无需付出额外的努力。更长爬电距离，可提高系统安全性，有效防止系统内部的灰尘或污垢导致的短路，特别是电弧。这样，就不需要使用额外的化学（硅胶或硅霜）或机械（护套或箔）手段来避免封装引线之间存在任何污染，从而充分发挥快速的精益生产工艺的所有优势。碳化硅肖特基二极管thinQ™系列的目标应用包括太阳能系统、UPS、SMPS和电机逆变器等，可全面满足客户不断提高能效和功率密度的需求。


全新60V逻辑电平OptiMOS“606”系列小信号MOSFET

英飞凌以提供适用于汽车（AEC Q101）的品质优异的小信号MOSFET而闻名于世。现在，新推出的60V逻辑电平OptiMOS“606”家族，进一步丰富了这个产品组合。这种60毫欧姆逻辑电平器件，具备出类拔萃的单位面积RDSon，并且具有很低的Qg，可以实现更好的轻载效率。这种产品采用流行的SOT89、TSOP6和SC59封装，特别适于强调节省空间、降低功耗的应用。目标应用包括，作为低功率DC/DC电源转换器的外接FET、在用于电动汽车、混合动力汽车和外充电式混合动力汽车的电池能量控制模块（BECM）中发挥平衡作用，以及用作多种微的外接FET。

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