器件额定电流4 A~40 A，采用MPS结构设计，降低开关损耗和温变影响
Vishay推出十款新型650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）结构设计，通过降低开关损耗提升高频应用能效，不受温度变化的影响—从而使二极管能够在更高的温度下工作。
日前发布的MPS二极管可屏蔽肖特基势垒产生的电场，减少漏电流，同时通过空穴注入提高浪涌电流能力。与硅肖特基器件相比，新型二极管处理电流相同的情况下，正向压降仅略有上升，坚固程度明显提高。
器件适用于服务器、电信设备、UPS和太阳能逆变器等应用领域的功率因数校正（PFC）续流、升降压续流和LLC转换器输出整流，为设计人员实现系统优化提供高灵活性。二极管采用2L TO-220AC和TO-247AD 3L封装，额定电流为4 A~40 A，可在+175 C高温下工作。
器件规格表：
| 产品编号 | IF(AV) (A) | VRRM | 25 °C, 10 ms下IFSM | IF和TJ下VF (典型值) | TJ最大值 (°C) | 封装 | | (V) | (A) | VF (V) | IF (A) | TJ (°C) | | VS-C04ET07T-M3 | 4 | 650 | 26 | 1.75 | 4 | 150 | 175 | 2L TO-220AC | | VS-C06ET07T-M3 | 6 | 650 | 39 | 1.7 | 6 | 150 | 175 | 2L TO-220AC | | VS-C08ET07T-M3 | 8 | 650 | 57 | 1.7 | 8 | 150 | 175 | 2L TO-220AC | | VS-C10ET07T-M3 | 10 | 650 | 68 | 1.75 | 10 | 150 | 175 | 2L TO-220AC | | VS-C12ET07T-M3 | 12 | 650 | 80 | 1.65 | 12 | 150 | 175 | 2L TO-220AC | | VS-C16ET07T-M3 | 16 | 650 | 120 | 1.65 | 16 | 150 | 175 | 2L TO-220AC | | VS-C20ET07T-M3 | 20 | 650 | 160 | 1.6 | 20 | 150 | 175 | 2L TO-220AC | | VS-C16CP07L-M3 | 16 | 650 | 53 | 1.7 | 8 | 150 | 175 | TO-247AD 3L | | VS-C20CP07L-M3 | 20 | 650 | 64 | 1.75 | 10 | 150 | 175 | TO-247AD 3L | | VS-C40CP07L-M3 | 40 | 650 | 160 | 1.55 | 20 | 150 | 175 | TO-247AD 3L
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