高功率密度、出色的性能和易用性是当前电源系统设计的关键要求。为此，英飞凌科技股份公司推出了新一代OptiMOS 源极底置（Source-Down，简称SD）功率MOSFET，为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。该功率MOSFET采用PQFN 封装，尺寸为3.3 x 3.3 mm2，支持从25 V到100 V的宽电压范围。此种封装可实现更高的效率、更高的功率密度以及业内领先的热性能指标，并降低BOM成本，在功率MOSFET的性能方面树立了新的行业标杆。该器件的应用领域十分广泛，涵盖电机驱动，适用于服务器、电信和OR-ing的SMPS，以及电池管理系统等。
与传统的漏极底置（Drain-Down）封装相比，最新的源极底置封装技术能够让器件的外形尺寸接近于裸芯片。此外，这种创新封装技术还能降低损耗，进一步增强器件的整体性能。相较于最先进的漏极底置封装，采用源极底置封装可使RDS(on)降低30％。这一技术创新能够为系统设计带来的主要优势包括：缩小外形尺寸，从SuperSO8 5 x 6 mm2封装转变到PQFN 3.3 x 3.3 mm2封装，可减少约65%的占位空间，让可用空间得到更有效的利用，从而提高终端系统的功率密度和系统效率。
