你在这里
热点资讯

Vishay大幅扩充 E系列650V N沟道功率MOSFET家族

新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结技术，导通电阻低至30mΩ、电流达6A～105A，在8种封装中实现低FOM和高功率密度

Vishay E系列器件新增650V功率MOSFET。这些22款新器件采用8种不同封装，将10V下的导通电阻扩展到30mΩ～600mΩ，将最高电流等级扩大为6A～105A。650V E系列MOSFET基于下一代Vishay Siliconix超级结技术，针对可再生能源、工业、照明、电信、消费和计算市场中对输入电压安全裕量有额外要求的应用，Vishay Siliconix拓展了器件的峰值性能指标。



今天推出的器件使E系列的器件总数达到26个。所有E系列器件都具有超低的导通电阻和栅极电荷，可实现极低的传导和开关损耗，可在功率因数校正、服务器和通信电源系统、焊接、不间断电源(UPS)、电池充电器、LED照明、半导体制造设备、适配器和太阳能逆变器等高功率、高性能开关电源中节省能源。

器件针对雪崩和通信模式中承受高能脉冲而设计，通过100%的UIS测试确保极限性能。MOSFET符合RoHS。

器件规格表：
  
编号
  
V(BR)DSS  (V)
ID  @ 25C(A)
RDS(ON)  max.
  @ Vgs = 10 V (mΩ)
Qg typ
  @ Vgs = 10V (nC)
封装
样品
SiHP6N65E
650
6
600
21
TO220
已发布
SiHF6N65E
650
6
600
21
TO220F
已发布
SiHB6N65E
650
6
600
21
TO263  (D2PAK)
已发布
SiHD6N65E
650
6
600
21
TO252 (DPAK)
已发布
SiHU6N65E
650
6
600
21
TO251 (IPAK)
已发布
SiHP12N65E
650
12
380
33
TO220
可供货
SiHB12N65E
650
12
380
33
TO263  (D2PAK)
可供货
SiHF12N65E
650
12
380
33
TO220F
可供货
SiHP15N65E
650
15
280
44
TO220
已发布
SiHB15N65E
650
15
280
44
TO263  (D2PAK)
已发布
SiHF15N65E
650
15
280
44
TO220F
已发布
SiHP22N65E
650
22
180
65
TO220
已发布
SiHF22N65E
650
22
180
65
TO220F
已发布
SiHB22N65E
650
22
180
65
TO263  (D2PAK)
已发布
SiHG22N65E
650
22
180
65
TO247AC
已发布
SiHP24N65E
650
24
150
83
TO220
已发布
SiHB24N65E
650
24
150
83
TO263  (D2PAK)
已发布
SiHG24N65E
650
24
150
83
TO247AC
已发布
SiHP28N65E
650
28
125
99
TO220
五月
SiHG28N65E
650
28
125
99
TO247AC
五月
SiHW28N65E
650
28
125
99
TO247AD
五月
SiHG47N65E
650
47
70
178
TO247AC
可供货
SiHW47N65E
650
47
70
178
TO247AD
可供货
SiHG64N65E
650
65
51
244
TO247AC
五月
SiHW64N65E
650
65
51
244
TO247AD
五月
SiHS105N65E
650
105
30
405
Super TO247
五月

相关文章