第三代thinQ! SiC肖特基二极管在任何额定电流条件下都具备业界最低的器件电容，可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率，从而帮助降低电源转换系统成本。该二极管系列提供多种封装形式，不仅包括TO-220封装（真正的双管脚版本）产品，还包括面向高功率密度表面贴装设计的DPAK封装产品。 SiC肖特基二极管的主要应用领域是开关模式电源（SMPS）的有源功率因数校正（CCM PFC）和太阳能逆变器与电机驱动器等其他AC/DC和DC/DC电源转换应用。 相对于第二代产品，全新的SiC肖特基二极管的器件电容降低约40%，因此减少了开关损耗。例如，工作频率为250 kHz的1kW功率因数校正级在20%负载条件下整体能效将提高0.4%。更高的开关频率允许使用成本更低、更小的无源组件（如电感和电容器），实现更高功率密度设计。更低的功耗也降低了对散热器和风扇的尺寸和数量要求，从而降低系统成本，提高可靠性。供货、封装第三代 thinQ! SiC肖特基二极管提供采用TO-220和DPAK封装的600V（3A、4A、 5A、6A、8A、9A、10A和12 A）产品和采用 TO-220封装的1200V产品（2A、5A、8A、10A和 15 A）。产品样品于2009年1月开始提供，预计在2009年早春开始批量生产。
